GlobalFoundries ha anunciado un nuevo nodo de fabricación a 12 nanómetros que utiliza la tecnología FD-SOI, gracias a la cual pretende extender su posición de liderazgo en el mercado de los semiconductores al ofrecer el primer roadmap multi nodo FD-SOI de la industria.
No os hagáis ilusiones, pues éste nuevo nodo de fabricación de GlobalFoundries a 12 nanómetros no estará orientado a tarjetas gráficas como muchos seguro que habréis llegado a pensar. No. La nueva plataforma 12FDXTM de la compañía fabricará chips orientados a la computación móvil, conectividad 5G, inteligencia artificial y vehículos autónomos, o al menos eso es lo que han dicho en el anuncio, no han mencionado nada de GPUs.
La plataforma 12FDXTM de GlobalFoundries establece un nuevo estándar en la integración de sistemas, pues proporciona una plataforma optimizada para combinar sistemas de radio frecuencia (RF), analógicos, memoria integrada y lógica avanzada en un solo chip. Lógicamente todo ésto no está pensado para una GPU sino para la lista que hemos enumerado más arriba. Una de las ventajas de ésta nueva plataforma a 12 nanómetros es que cuenta con el más amplio rango de escalado de voltaje en la industria, o en otras palabras, limita mucho menos el tipo de producto que se puede fabricar con éste nodo. Ésto lo han conseguido gracias a unos transistores capaces de funcionar con un rango de voltajes muy amplio.
GlobalFoundries explica su nueva litografía 12FDX a 12 nanómetros con la plataforma FD-SOI (fully depleted silicon on insulator) diciendo que proporciona el rendimiento del proceso FinFET a 10 nm pero con un consumo inferior y mejor coste de fabricación que el proceso FinFET a 16 nm. Según el fabricante, ésta plataforma ofrece hasta un 15% más de rendimiento y consume un 50% menos respectivamente con las comparaciones que hemos dicho.
Ya veremos qué productos llegan al mercado finalmente con éste nuevo nodo de fabricación, pero en cualquier caso podemos esperar que próximamente evolucione y veamos muchos más productos de los que han dicho inicialmente.