Samsung ha anunciado que a finales de éste mismo año dará el pistoletazo de salida a la producción en masa de chips basados en el nodo de fabricación FinFET a 10 nanómetros, chips que ya tiene listos desde finales del año pasado pero que hasta ahora no han pasado a la fase de producción.
Tanto Samsung como TSMC ya fabrican activamente chips de 16/15/14 nanómetros, chips que veremos por ejemplo en las nuevas generaciones de tarjetas gráficas de AMD y NVIDIA (no contemos a Intel que va por su lado). Los coreanos tienen listos los chips de 10 nanómetros desde hace ya tiempo, pero los que meterán en producción en masa a finales de éste año serán teóricamente la segunda generación, que según el fabricante será un 10% más rápida que los chips que ya han mostrado.
Samsung ha dicho que la próxima generación de procesadores a 10 nm será una evolución de los actuales a 14 nm, proporcionando más rendimiento y reduciendo los costes de fabricación. La compañía ha anunciado que va a comenzar la producción de chips 10LPE (Low Power Early) a finales de año, y el proceso de fabricación será seguido por el de los chips 10LPP (Low Power Plus) para principios de 2017, un proceso que mejorará el rendimiento en un 10% adicional con el mismo consumo según los cálculos de la compañía.
TSMC por su parte afirma que en dos años quieren comenzar a producir chips con litografía de 7 nanómetros, algo que parece bastante complicado teniendo en cuenta que actualmente están estancados y con dificultades en el nodo a 16 nanómetros. Samsung por su parte, que ya tiene perfectamente establecido el nodo a 14 nanómetros (que es prácticamente igual que el de 16 nm) también dijo que su proceso de fabricación a 7 nm estará listo relativamente pronto con su proceso Extreme UV (extreme ultra violet), un proceso que los coreanos todavía no han utilizado ni siquiera para los chips DRAM a 10 nm.
El caso es que la reducción de litografía va viento en popa. Samsung ya ha producido más de medio millón de obleas a 14 nanómetros hasta el día de hoy, y eso con solo dos plantas de fabricación (la de Corea y la de Texas). Será interesante ver quién es el que alcanza primero la litografía a 1 nanómetro, el tamaño del diámetro de un nanotubo de carbono.