Hay muchas empresas que se dedican a ofrecer una gran cantidad de avances tecnológicos que nos permiten aumentar el rendimiento que tienen los sistemas informáticos, y una de las que dedican una gran parte de sus desarrollos a este aspecto es SK Hynix, una empresa surcoreana conocida por sus soluciones en términos de almacenamiento y memoria. Ahora, la compañía ha anunciado durante su propio evento lo que podemos esperar el año que viene, que llegará cargado de sorpresas ya que han creado la primera memoria HBM3E de 16 Hi y también buscarán ofrecer nuevos SSD PCIe 6.0 de gran velocidad.
Actualmente hay muchas compañías dedicadas al desarrollo y creación de nuevas tecnologías relacionadas con la memoria o el almacenamiento, pero en términos de avances tecnológicos, podemos nombrar a Samsung, SK Hynix y Micron como las más importantes debido a todo lo que han presentado. Ahora conocemos cuales son las novedades que trae una de ellas, y es que han presentado una serie de desarrollos que llaman mucho la atención ya que permitirán avanzar
Los grandes avances tecnológicos de SK Hynix pasan por el estándar PCIe 6.0
Uno de los componentes que más ha evolucionado en los últimos años es la unidad de almacenamiento, algo que no podemos negar teniendo en cuenta que en muy poco tiempo hemos pasado de utilizar un estándar que se llevaba utilizando prácticamente toda la vida a uno que aun siendo relativamente reciente, ha conseguido dominar gran parte del mercado. Las unidades que se conectan mediante PCIe han conseguido convertirse en algo habitual tanto en ordenadores de sobremesa como en portátiles, al ofrecer velocidades extremadamente grandes, con un tamaño físico realmente reducido.
PCIe 5.0 ofrece velocidades extremadamente altas, pero no hay muchas personas que puedan conseguir una unidad compatible con este formato ya que resultan extremadamente caras, pero SK Hynix ya está pensando en ir un paso más allá y ofrecer unidades PCIe 6.0. Estos dispositivos de almacenamiento de alta capacidad basadas estarían basados en las tecnologías en QLC y UFS 5.0.
Otro de los aspectos realmente importantes, presentan la primera memoria HBM3E de 16 Hi
Además de haber anunciado la creación de unos SSD que revolucionarán por completo el almacenamiento, también han indicado algo que resulta extremadamente importante, la creación de la memoria HBM3E que puede llegar a tener una capacidad de hasta 48 GB por pila. La compañía tenía una gran cantidad de esfuerzos centrados en desarrollar la memoria HBM4, e incluso NVIDIA ha tratado de presionar a la compañía indicándoles que necesitarían tenerla lista dentro de 6 meses para que pueda aplicarse a las novedades que trae la marca creadora de las RTX, por lo que la llegada de esta versión avanzada de HBM3 es bastante impresionante.
Esta memoria de 16 capas está diseñada según indica la compañía, para hacer frente a los cambios en términos de rendimiento y eficiencia que han llegado por la inteligencia artificial, tratando de estabilizar un poco el mercado tecnológico, y es que el hecho de que ofrezcan 48 GB dobla prácticamente lo que ofrecen los aceleradores de IA actuales, tanto de AMD como de NVIDIA, siendo además, mucho más rápida al mejorar la velocidad de entrenamiento de los LLM en un 18%.
