Cada fabricante de chips de memoria utiliza diferentes tipos de diseños adaptados a sus necesidades o requisitos. El fabricante de memorias SK Hynix está planteando un cambio en el proceso de fabricación de las memorias, buscando pasar a los procesos 4F2 o 3D DRAM. El motivo de análisis de este cambio de diseño tiene que ver con los costos de fabricación.
Hemos visto en los últimos años como el precio de los componentes no deja de aumentar. Este proceso de aumento de precios es directamente proporcional al uso de procesos de fabricación avanzados, cada vez más complejos y costosos.
Muchos fabricantes trabajan en innovar en los procesos de construcción de los diseños de los chips. Se buscan nuevos diseños de transistores, nuevos materiales aditivos y una enorme cantidad de opciones diferentes. La última en anunciar cambios en los procesos de diseño de los chips es SK Hynix.
SK Hynix busca reducir costes con nuevos procesos de fabricación
¿Te suena la marca Crucial que comercializa memorias RAM y SSD? Pues bien, esta marca tan bien valorada es la división comercial de SK Hynix, que ofrece soluciones basadas en sus chips de memoria.
Este fabricante de chips de memoria se encuentra con el problema de los diseños de fabricación actuales. SK Hynix indica que los costes de fabricar con las litografías de tipo ultravioleta extremo (EUV) están aumentando. La manera de reducir costes de fabricación y, posiblemente, reducir precios de los productos, es buscar otras maneras de fabricarlos.
Plantean varias opciones, aunque el diseño que más fuerza está ganando es el DRAM 4F2. Dicho diseño se conoce en la industria como DRAM VCT o DRAM VG (transistor de canal vertical) en donde las celdas tienen un diseño vertical.
Dentro de este diseño, la fuente, la puerta, en drenador y el capacitor tienen una apilación vertical. La línea de palabras y de bits se conectan con la puerta y la fuente, respectivamente. Según indica SK Hynix, este diseño permite reducir el área en un 30%, aproximadamente, en comparación con el diseño DRAM 6F2 vertical. Empezarían a usar este diseño tras el nodo de 0a nm.
Micron, Samsung y SK Hynix tienen previsto fabricar DRAM usando el proceso 1c nm entre 2024 y 2025. El nodo de nueva generación, denominado 1d nm, hará uso de nuevas técnicas de exposición múltiple EUV. Dicho proceso podría aumentar de manera significativa los costes de fabricación, al ser un proceso más complejo.
Seo Jae-Wook, investigador de SK-Hynix, ha dicho que el diseño VG o DRAM 3D permite reducir a la mitad los costos asociados con respecto al diseño DRAM 6F2 convencional bajo la litografía EUV. Demás, la DRAM VG podría mantener fijos los costes durante una o dos generaciones de procesos. Tras ese periodo está previsto que los costos de EUV aumente drásticamente.
Cambiar el proceso de fabricación no es algo precisamente sencillo. Pasar a esta estructura DRAM 3D no es algo sencillo y tampoco será barato, ya que requiere de una gran inversión en equipos de deposición y grabado.
Parece evidente que este es un parche temporal ante el gran aumento de costes de fabricación que están por llegar. Dicho aumento de costes supondrá un aumento del precio final del producto. Ahora bien, ¿hasta cuando será sostenible el aumento constante del precio del hardware?
