La nueva tecnología de Samsung hará SSD QLC 3 veces más rápidos

Los Samsung Tech Days no solo nos han traído novedades sobre los futuros estándares de memoria RAM, sino que también han hablado de su memoria NAND Flash, en concreto de su V7 QLC con la cual esperan mejorar el rendimiento de los SSD NVMe y SATA que utilicen 4 bits por celda para el almacenamiento. ¿Cuál es su rendimiento y qué novedades aporta?

No hay duda que el gran desafío que tiene el uso de RAM no volátil para el almacenamiento es precisamente el coste por bit almacenado, el cual es mucho más alto que los discos duros convencionales e impide su transición. Aunque los chips con 5 bits por celda están en el mapa de ruta, por el momento lo máximo que se ha conseguido es llegar a la memoria QLC con 4.

Pues bien, Samsung en su Tech Days 2021 ha presentado su nueva memoria NAND Flash para ordenadores domésticos, la cual veremos instalada dentro de los SSD en un futuro cercano. Veamos por tanto cuál es su rendimiento.

¿Cómo es la V7 QLC de Samsung?

SSD Samsung V5 V6 V7 QLC tLC

En primer lugar hemos de destacar que la NAND Flash V7 QLC de Samsung está construida en 176 capas y por tanto se trata de 3D NAND QLC. Por lo que de entrada la capacidad de almacenamiento debería como mínimo duplicarse, ya que actualmente la memoria V-NAND de Samsung hace uso de 96 capas.

Aunque lo más importante aquí es su rendimiento, Samsung afirma que la velocidad de escritura aumentara 2,7 veces y la de lectura en unas 2,6 veces. Esto es clave para la construcción de unidades SSD NVMe más baratas que no requieran el uso de tantos canales de memoria y por tanto se abre la capacidad a unidades más baratas.

Por otro lado, pese a que las unidades de estado sólido compatibles con PCI Express 5.0 están todavía algo lejanas en el tiempo no hemos de olvidar que dicho ancho de banda se consigue entre la controladora flash y la RAM del sistema a través de dicha interfaz. Los datos se encuentran en los chips NAND Flash y no hacerlos evolucionar en velocidad supone un cuello de botella enorme de cara al rendimiento de este tipo de unidades.

El futuro de los SSD está en QLC

Samsung 870 QLC Perdida Rendimiento

El titular no son nuestras palabras, sino las de la propia Samsung quienes han afirmado que al igual que ha ocurrido con la memoria TLC no solo esperan que la mayoría de unidades de estado sólido para PC utilicen celdas QLC, sino también los dispositivos móviles y por tanto memorias como la UFS utilizada como almacenamiento también darán la transición a este tipo de celdas.

La clave para conseguir esta transición será el aumento de la capacidad de la SLC Cache para soportar volúmenes de lectura y escritura más altos. No olvidemos que el aumento en el ancho de banda hará se llene más rápido reduciendo el rendimiento considerablemente. Por ejemplo, tal y como se ve en la imagen, el Samsung QLC-SSD 870 QVO reduce su ancho de banda a 160 MB/s cuando se agota la SLC Cache por su pequeño tamaño, una velocidad demasiado baja como para suponer una ventaja importante respecto a los discos duros convencionales.

Este problema del rendimiento de la NAND Flash de 4 bits esperan solucionarlo con la capacidad del Q7 VLC de funcionar a velocidades de 500 MB/s aproximados con la SLC Cache llena, lo que hará que los SSD que hagan uso de este tipo de NAND Flash acaben ganando mayor cuota de mercado.