Samsung ya fabrica V-NAND de 96 capas: los SSD serán aún más baratos

Escrito por Juan Diego de Usera

Samsung acaba de confirmar que ya ha iniciado la producción en masa de su nueva memoria V-NAND de 96 capas. Con este nuevo tipo de memoria NAND Flash, los dispositivos de almacenamiento sólido se podrán fabricar más baratos, al necesitar de una menor cantidad de chips de memoria sobre el PCB, repercutiendo positivamente en los bolsillos de todos los usuarios.

Aunque de un tiempo a esta parte, el precio de los dispositivos de almacenamiento sólido haya descendido de una manera considerable, la realidad es que todavía siguen estando bastante caros si los comparamos con sus contrapartes mecánicos. Y no es, precisamente, porque sea una tecnología reciente (el primer pen drive data del año 1991), sino porque hasta que se comenzaron a popularizar el apilar los chips de memoria NAND, unos encima de otros, se debían de disponer de manera planar sobre el PCB del SSD, lo que los hacía bastante caros de fabricar.

Con la llegada de la tecnología 3D a los SSD, estos dispositivos comenzaron a crecer en capacidad, a la par que disminuían su precio de venta. Excepto durante la crisis de la memoria, donde todos los fabricantes de memoria NAND afirmaron que había problemas de suministro, por culpa del mercado de terminales móviles. Sin embargo, este mercado sufrió un bajón inesperado el pasado año, que ha creado un remanente de chips de memoria, que los fabricantes han podido emplear para producir unidades a un menor precio.

La memoria V-NAND de 96 capas de Samsung será más rápida que la actual

Hasta la fecha, todos los dispositivos de almacenamiento de Samsung modernos se fabricaban empleando memoria V-NAND de 64 capas. La nueva memoria V-NAND de 96 capas será mucho más rápida de manera interna, dado que con ella se han logrado alcanzar tasas de transferencias de datos de 1,4 Gbps, una cifra que es un 40% más elevada que la que se podía alcanzar hasta ahora con la actual memoria V-NAND de 64 capas.

La eficiencia de esta nueva memoria NAND Flash no se ha visto alterada frente a los actuales modelos de 64 capas, dado que el voltaje que emplean estas nuevas memorias se ha disminuido desde los 1,8 V de la actual generación hasta los 1,2 V. Lo que también ha mejorado es la tasa de escritura, que ahora se ha establecido en los 500 μS, convirtiéndolas en una de las más rápidas (si no la más rápida) del mercado actual.

Tras este anuncio, Samsung incrementará rápidamente su volumen de producción de memoria V-NAND de 96 capas para cubrir la demanda del mercado, a la par que pronto existirán los primeros chips de memoria de 1 Tb y se comenzarán a fabricar los primeros chips con tecnología QLC.

Fuente > Samsung

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  • fulanodetal

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