Samsung va a por todas e incrementa la producción de 3D V-NAND

Escrito por Juan Diego de Usera

Desde que Samsung empezó a producir el primer SSD de la industria basado en chips 3D V-NAND de 256 Gb de 64 capas en enero para clientes clave de TI, ha estado trabajando en una amplia gama de nuevas soluciones de almacenamiento móviles y de consumo basadas en V-NAND. Estos incluyen la memoria UFS integrada, los SSDs de la marca y las tarjetas de memoria externa.

La 3D V-NAND de 64 capas de Samsung ofrece una velocidad de transferencia de datos de 1 Gbps (gigabit por segundo), que es la más rápida entre las memorias flash NAND actualmente disponible. Además, la V-NAND tiene el tiempo de programa de página más corto de la industria (tPROG) de 500 micro segundos (㎲) entre la memoria flash NAND, que es aproximadamente cuatro veces más rápida que la de una memoria flash NAND planar de categoría de 10 nanómetros. Y aproximadamente 1,5 veces más rápida que la flash V-NAND de 48 capas de 3 bits y 256 Gb más rápida de Samsung.

Con la amplia oferta de productos V-NAND de vanguardia, Samsung espera que la industria se concentre más en el alto rendimiento y la fiabilidad del almacenamiento de memoria, en lugar de sumergirse en una carrera de escalado de chips.

Un nuevo diseño basado en la eficiencia energética y el rendimiento bruto

La nueva 3D V-NAND de 64 capas de 256 Gb proporciona más de un 30 por ciento de ganancia de productividad, en comparación con la actual V-NAND de 48 capas de 256 Gb que la precedió. Además, la V-NAND de 64 capas tiene un voltaje de entrada de 2,5 V para sus circuitos, lo que da como resultado una eficiencia energética aproximadamente 30 por ciento mayor que la de los 3,3 V que utiliza la V-NAND de 48 capas. Además, la fiabilidad de la nueva célula V-NAND aumentó en un 20 por ciento en comparación con su predecesor.

Samsung permitió estas mejoras al abordar una diversidad de desafíos que aparecen en el avanzado proceso de fabricación de V-NAND. El principal de ellos fue la realización de agujeros de varios miles de millones de canales que penetran varias docenas de capas de celdas y minimizando la pérdida de electrones de alrededor de 85.300 millones de células.

A medida que aumentan las capas de las matrices celulares, también aumenta el nivel de dificultad tecnológica, especialmente haciendo que los orificios de canal sean homogéneos en su forma desde la capa superior a la capa inferior, y dispersando apropiadamente el peso de todas las capas para mejorar la estabilidad de los agujeros del canal.

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