Los núcleos HBM2 de Hynix de 4 GB llegarán en el tercer cuarto.

Escrito por Juan Diego de Usera

El gigante coreano en la fabricación de módulos de memoria SK Hynix iniciará la producción en masa de los nuevos módulos de memoria 4GB HBM2 durante el tercer cuarto de 2016, a los que seguirán rápidamente con los módulos de 8 GB HBM2 durante el último cuarto de ese mismo año. El objetivo primordial de SK Hynix será el de proveer la memoria que requerirán las nuevas gráficas Polaris de AMD y Pascal de Nvidia, las cuales se espera que lleguen a mediados de 2016.

SK Hynix parece haber fijado su objetivo crear un ritmo constante para su producción de memoria HBM2. Al igual que Samsung que comenzó con los núcleos de los módulos de 4 GB de HBM2 en primer lugar, Hynix elegirá un camino similar con la producción en serie que va a comenzar durante el tercer cuarto de 2016. Sin embargo, SK Hynix está llegando un poco tarde sabiendo que Samsung ha tenido su producción a pleno rendimientSK o ya por un tiempo mientras que se prepara la producción de los núcleos de los módulos de 8 GB HBM2 para este año también, aunque no hay fecha concretada todavía para ella.

SK Hynix envió los primeros núcleos HBM con el comienzo de la producción a gran escala de las tarjetas gráficas de la serie Radeon de AMD R9 Fury el año pasado. AMD fue la primera compañía de tarjetas gráficas que decidió incorporar la primera generación del reciente estándar de memoria de alto ancho de banda (High Bandwith Memory, HBM) en sus tarjetas y este año podremos ver una mayor afluencia de tarjetas gráficas HBM impulsadas por núcleos gráficos fabricados tanto por parte de Nvidia como de AMD. Samsung comenzó la producción en masa de este modelo de memoria gráfica varios meses atrás, con lo que le lleva una clara ventaja a SK Hynix, pero Hynix está planeando empezar la producción a mediados finales de 2016, lo que les dará tiempo para ver cómo se define el mercado en cuanto a ventas de tarjetas gráficas de gamas alta y media, lo que les va a permitir ahorrar en costes de producción si la demanda final de módulos de memoria para esas tarjetas gráficas no acaba siendo tan alta como se esperaba inicialmente.

La nueva memoria HBM2 hace uso de unos núcleos de 8 Gb (Gigabit) bastante más robustos que los presentes en los núcleos de 4 Gb de la HBM1 actual, que están interconectados y se apilan verticalmente a través de las TSVs. Cada paquete de estas matrices es capaz de ofrecer una velocidad de 256 GB/s de ancho de banda, que es dos veces el ancho de banda de la generación actual de memoria HBM1, que proporciona un máximo teórico de 128 GB/s, a parte de ser un aumento de hasta siete veces en comparación con un chip de 4 Gb de la más habitual memoria GDDR5 (36 Gbps). El paquete de 4 Gb HBM2 se puede incorporar en varias pilas, lo que ofrece un mayor espacio de para la memoria con un aumento sustancial de la eficiencia de las soluciones GRAM sobre la generación actual. Tener dos de estos paquetes de memoria sobre una misma capa mediadora daría un total de 8 GB de GRAM con un ancho de banda de 512 GB/s, mientras que tener cuatro doblaría automáticamente todos esos parámetros, teniendo 16 GB de GRAM y hasta 1 TB/s de ancho de banda.

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