Samsung ha anunciado que ha comenzado a producir en masa chips de memoria flash de 256 GB (Gigabytes) basados en el estándar UFS 2.0. Éstos nuevos chips de memoria superan en rendimiento, según Samsung, a los SSDs SATA 3 para PC.
“Proporcionando memoria UFS de alta densidad con un rendimiento de casi el doble que los SSDs SATA para PC, contribuiremos al cambio de paradigma en el mercado de almacenamiento para dispositivos móviles”, dijo Joo Sun Choi, directivo de la división de memoria de Samsung, “Estamos determinados a cambiar los límites en las líneas de almacenamiento de alta gama, proporcionando unos agresivos cambios de rendimiento y capacidad en los tres mercados (SSDs OEM NVMe, SSDs externos y memoria UFS)”.
Éstos nuevos chips de memoria de 256 GB de capacidad que Samsung ya produce en masa están lógicamente pensados para dispositivos móviles de categoría Premium, como el Galaxy S7 que han presentado hace poco. Según el fabricante el controlador de memoria ha sido específicamente diseñado para éstos chips de gama alta y es capaz de manejar hasta 45.000 IOPS de lectura y 40.000 de escritura.
Hablando de términos más empíricos, los chips de memoria V-NAND de 256 GB de Samsung son capaces de entregar hasta 850 MB/s de velocidad de lectura secuencial gracias al uso de dos carriles de datos, una velocidad que es efectivamente casi el doble de lo que proporcionan los SSDs SATA 3 de PC siempre y cuando la velocidad real cumpla con la teórica que especifica el fabricante. Ahora bien, en términos de lectura la velocidad solo alcanza los 260 MB/s, un dato mucho más bajo pero que aun así triplica la velocidad típica que proporcionan las tarjetas de memoria micro SD.
En cualquier caso el resultado es que éstos chips de memoria tienen un rendimiento más que de sobra para manejar vídeo Ultra HD y procesos multitarea en dispositivos con pantallas de gran resolución. No cabe duda de que resultan la solución de almacenamiento ideal tanto por capacidad como por velocidad para los dispositivos móviles de gama alta de nueva generación.