Si esta misma semana os contábamos que TSMC está planeando acelerar su proceso de fabricación en 10 nm, Intel, que fabrica sus propias obleas, ha anunciado que para el año 2016 ya tendrán completamente listo y funcional su propio proceso con esta misma litografía. También se comenta que en la feria IDF 2014 mostrarán su primera oblea fabricada con el proceso de 10 nm Bulk Tri-Gate FinFET, pero esto último son datos filtrados, no confirmados por Intel.
El proceso de fabricación en 10 nm de Intel todavía está en fase experimental, es decir, que no podemos esperar chips comerciales basados en éste hasta dentro de un tiempo (2016 es lo que ha anunciado la compañía). Durante el IDF (Intel Developers Forum) 2014, Intel podría mostrar la primera oblea (wafer) con este proceso de fabricación en 10 nm Bulk Tri-Gate, pero en principio será eso, simplemente tenerla expuesta para que la gente la vea.
Como podéis ver en el roadmap de arriba, Intel también está sufriendo retrasos para con el desarrollo de nuevos procesos de fabricación. Están hablando del proceso de fabricación en 10 nm para 2016 (estaba previsto para 2015) y ni siquiera tienen listo el de 14 nm que debería de haber aterrizado el año pasado. Pero que no os extrañe, ya que como os mostramos hace unos meses, los 28 nanómetros podrían ser el final de la ley de Moore, y cada vez cuesta más y más desarrollar nuevos procesos de fabricación más eficientes y pequeños.
Fuente: Digitimes.