SK Hynix desarrolla el primer chip de memoria LPDDR3 de 6 Gb

Escrito por Rodrigo Alonso

SK Hynix ha anunciado que ha terminado el desarrollo del primer chip de memoria LPDDR3 (Low Power DDR3) de 6 Gb (Gigabit) de la industria, utilizando un proceso de fabricación de 20nm. Este producto será una solución de memoria de alto rendimiento para móviles y tablets que proporciona un acceso rápido a la memoria con un bajo consumo, ideal para la próxima generación de smartphones de gama alta.

Como hemos dicho al principio se trata de módulos de 6 Gigabits. Se pueden utilizar en conjunto hasta 4 chips de 6 Gb LPDDR3 para tener un total de 24Gb de memoria RAM, que equivalen a 3 GB (Gigabytes) en total. En consecuencia, este conjunto de 4 chips de memoria reduce el consumo de energía global del aparato en el que se utilicen, así como aproximadamente un 30% el grosor de las soluciones de memoria para móviles actuales (lo han comparado con sus actuales chips de 4 Gb). Además, funcionan a tan solo 1.2V por lo que son ideales para ahorrar batería en soluciones móviles.

Hynyx LPDDR3

Estos chips de memoria LPDDR3 funcionan a 1866 Mbps, y con controladores de memoria de 32 bits son capaces de procesar hasta 7.4 GB de datos por segundo cuando funcionan en single channel y hasta 14.8 GB de datos cuando lo hacen en modo dual channel. Además SK Hynix pueden proporcionar estos chips en paquetes de 4 para tener los 3 GB de memoria en un solo “paquete”.

Estos productos de 3 GB LPDDR3 se espera que empiecen a aparecer en smartphones y tablets de gama alta a partir de mediados del año que viene, y durante el año 2015 ya se espera que prácticamente lleguen a todos los fabricantes.

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