Samsung y Numonyx unen sus fuerzas para desarrollar la memoria de cambio de fase

Escrito por Matías Varea

Con el fin de desarrollar la nueva generación de memoria de cambio de fase, Samsung y Numonix han decidido hacer equipo. La memoria de cambio de fase (Phase Change Memory, abreviada como PCM ó PRAM) puede ofrecer una tasa de transferencia hasta 30 veces más alta y es 10 veces más longeva que la memoria flash NOR ó NAND, con la ventaja añadida de un menor consumo.

Gracias a la colaboración entre Samsung y Numonix, será posible crear hardware y software común para simplificar los diseños y acelerar su llegada al mercado. Ya están desarrollando las especificaciones comunes (pin a pin) para móviles, sistemas embebidos y demás aplicaciones compatibles con el estándar de memoria de bajo consumo JEDEC LPDDR2. Este estándar ofrece características avanzadas de gestión de energía, una interfaz compartida para memoria volátil (RAM) y no volátil (NVM) y un rango de densidades y capacidades.

Las especificaciones comunes entre las 2 empresas estarán completas a lo largo de este año, lo que permitirá a Samsung y Numonix disponer de dispositivos compatibles el próximo año. Como ya informamos anteriormente, Samsung ha comenzado la producción en masa de chips PRAM este mes, concretamente chips de 64MB de capacidad.

La memoria de cambio de fase tiene muchas ventajas tanto de la memoria flash NOR ó NAND como de memorias RAM, lo que se traduce en una tasa de lectura de la RAM, reduciendo los niveles de coste y consumo.

 

Fuente: Numonix

 

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  • Barret

    esto parece el futuro de la memoria