En la era actual, la identificación del proceso de fabricación en la tecnología de semiconductores se mide en nm (nanómetros), y se ha convertido en poco más que una burda estrategia de marketing que no indica de verdad el proceso utilizado. Por este motivo, los desarrolladores pretenden cambiar la manera de medir los nm en las obleas, y os contamos de qué manera se hará en el futuro.
No hace mucho tiempo, los procesos de fabricación podían compararse simplemente en función de la densidad de transistores (es decir, 300 nm, 32 nm, 14 nm, etc.), pero los avances más recientes en las tecnologías de fabricación han provocado que esto haya perdido todo su significado cuando se trata de describir la densidad real del proceso de fabricación.
¿Por qué cambiar la forma de medir los nm?
La forma en la que los fabricantes midieron esta densidad de los semiconductores solía referirse directamente a la longitud mínima de las puertas de los transistores utilizados en el proceso, es decir, por ejemplo en los 300 nm la longitud mínima de las puertas de los transistores fue precisamente de 300 nanómetros. El problema es que desde hace ya un tiempo esto no está sucediendo, y un ejemplo práctico lo encontramos con Intel, quienes aseguran que su proceso litográfico a 10 nanómetros es comparable a los 7 nanómetros de TSMC.
Esto ha traído bajo el brazo una serie de dificultades para que las partes interesadas obtengan información significativa sobre esa métrica de semiconductores en particular.
Cómo se medirán los nanómetros en el futuro
Ahora, un equipo de investigadores ha abordado este problema al sugerir una forma diferente de expresar la capacidad de fabricación de semiconductores. Su intención es permitir «medir los avances en las futuras generaciones de tecnologías de semiconductores de manera integral, teniendo en cuenta el progreso en las tecnologías de lógica, memoria y empaque / integración simultáneamente«.
Como tal, la métrica de densidad propuesta sigue la filosofía [DL, DM, DC], donde DL es la densidad de transistores lógicos (en cantidad por mm²), DM es la densidad de bits de la memoria principal (densidad DRAM fuera del chip, medida en cantidad por mm²), y finalmente DC es la densidad de las conexiones entre la memoria principal y la lógica (también medido en cantidad por mm²).
Los investigadores dicen que este sistema describirá la densidad actual de la tecnología de semiconductores como, por ejemplo, [38M, 383M, 12K].
Los investigadores incluyen métricas como DM y DC porque los sistemas informáticos actuales dependen mucho de la densidad de memoria fuera del chip, y la E/S y el rendimiento real de la lógica / memoria es cada vez más importante en todo tipo de escenarios (especialmente a medida que aumenta el rendimiento).
Además, los investigadores han observado un incremento comparable en la densidad de los transistores lógicos y la densidad de bits DRAM, lo que se suma a este nueva métrica de densidad. Hay que recordar que se supone que estos valores representan la capacidad efectiva máxima de cualquier proceso de fabricación dado, lo que significa que un proceso de próxima generación de Intel podría incluir la densidad máxima de transistores expresada como el resultado de una ecuación tan simple como el número total de transistores dividido por la matriz zona; la máxima densidad de bits de memoria RAM que se puede combinar con este chip de proceso de fabricación.
Teniendo en cuenta que el panorama actual de la convención de nomenclatura para la densidad del proceso de fabricación tiene demasiados «vacíos», realmente esta manera de medir los nm parece bastante sensata, ya que obligaría a los fabricantes a tomar un «estándar» que se representaría la realidad, y no una fórmula de marketing para vender más.
Mantienen, no obstante, cierto margen de maniobra para sus triquiñuelas de marketing para describir los procesos como quieran, pero también deben proporcionar unas métricas de densidad exactas para sus procesos de fabricación. Y dado que se refiere a las densidades máximas que el proceso puede soportar (cuando se trata de lógica de transistores y densidades lógicas de conexión de memoria), garantiza que nosotros, los consumidores, podamos ver el panorama de los semiconductores con una imagen más clara y, sobre todo, realista.