Los móviles de 2019 superarán los 3 GHz gracias a los 7 nm de Samsung

Escrito por Juan Diego de Usera

El fabricante de teléfonos móviles, Samsung, ha declarado recientemente que sus planes de implementación del nodo de fabricación de 7 nm LPP van por buen camino, y que ya está desarrollando la ingeniería para implantar el nodo de nodo de 5 nm LPE. Con estas nuevas tecnologías, la compañía confía en que pronto podrá comenzar a fabricar procesadores a 3 GHz.

Samsung sigue creciendo con mucha fuerza en el negocio de la tecnología móvil. Pero no nos referimos tanto a la fabricación de terminales móviles, sino, más bien, al desarrollo de la tecnología para poder construir los procesadores que equipan muchos modelos de dispositivos móviles. El caso es que esta tecnología, al final se acaba filtrando para la fabricación de otros componentes electrónicos, como procesadores y tarjetas gráficas. En todos estos campos, también tiene una importante competencia, de la mano de TSMC y Global Foundries (aunque esta última se vio obligada a pagar la licencia para poder emplear el nodo de 14 nm de Samsung).

Es en este crecimiento continuado donde Samsung tiene actualmente su proceso de 7 nm LPE (Low Power Early), que ya está empleando para fabricar productos. Aunque a la mayoría de empresas que son clientes de ellos, el proceso que más les interesa es el proceso de 7 nm LPP (Low Power Plus), que es el proceso evolucionado del LPE, con mayor fiabilidad en la producción y que permite mayores frecuencias en los componentes que se fabrican con él.

El nodo de 7 nm permitirá alcanzar 3 GHz a las arquitecturas ARM

Una de las empresas que más interesadas está en el nodo de 7 nm LPP es ARM Architect. Esta empresa presentó hace meses su nueva arquitectura Cortex-A76, que, junto con su núcleo gráfico Mali-G76, se ha diseñado para ser empleada con uno de los nuevos nodos de fabricación que están finalizando ahora su desarrollo. De hecho, la empresa cree que, gracias a este nuevo nodo, la frecuencia de los procesadores con ella construidos, sería capaz de alcanzar los 3 GHz, e incluso superarlos.

El nuevo nodo de 7 nm LPP de Samsung está actualmente en sus últimas fases de diseño, y la empresa cree que antes de finalizar el año comenzará la producción en pruebas de este. Si todo funciona como cree la compañía, para mediados del próximo año, Samsung debiera de estar en disposición de comenzar la producción a gran escala de componentes que empleen este nodo.

Pero no acaba aquí el camino, dado que la empresa ya está diseñando su nodo de 5 nm, que permitiría aumentar la densidad de componentes dentro de los chips (muy al estilo de lo sucedido con los procesadores AMD Ryzen de 1ª y 2ª Generación), teniendo ya a la vista el desarrollo del futuro nodo de 3 nm.

Fuente > Sammobile

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  • Rafael

    ¿Qué es más pequeño un transistor de Intel a 10nm o uno de Samsung a 7nm?