Qué es EUV (Extreme ultraviolet lithography) y cómo está ayudando a bajar de los 10 nm

Escrito por Manuel Santos

La creación de procesadores con transistores cada vez más pequeños pasa por el cambio de tecnología a la hora de crear la litografía de estos. Es por ello que actualmente las empresas como TSMC o Samsung, que han conseguido llegar a los 7 nm y esperan llegar pronto a los 5 nm, han tenido que adoptar la tecnología EUV para el desarrollo de procesos de fabricación más pequeños.

Qué es la tecnología EUV (Ultravioleta Extrema)

La litografía EUV utiliza luz ultravioleta con una longitud de onda extremadamente pequeña de 13,5 nm. Esto permite la exposición de patrones de circuitos precisos con una distancia entre la puerta y el contacto de los transistores inferior a 20 nm, cosa que no puede hacerse con la litografía óptica convencional. Para poder llevar a cabo este nuevo procedimiento las empresas han tenido que adaptar sus fabricas con nueva maquinaria capaz de efectuar este nuevo procedimiento, como fuentes de luz, lentes, mascarás, fotorresistores y herramientas de litografía.

que es euv extreme ultraviolet litography

Cuál es el proceso de creación de die de un procesador

De todo lo que hay que añadir a la fábrica, el elemento más difícil es el foco de EUV que sea capaz de dar una longitud de onda de 13,5 nm. Este tipo de luz puede conseguirse poniendo un plasma de alta densidad a altas temperaturas. Para producir este plasma se pueden realizar dos métodos el Laser-Produced Plasma (LPP), que produce plasma condensando un fuerte láser en un material concreto, y el Discharge-Produced Plasma (DPP), que produce plasma creando una descarga de alta corriente entre dos electrodos en una atmósfera con ciertos materiales. La luz ultravioleta que emite el plasma se guarda en un espejo de condensación, pasa a través de un punto denominado foco intermediario (IF) e ilumina una máscara de refracción después de ser redirigido por las lentes. Cuando es refractado por la máscara, la luz es proyectada por las lentes y forma un patrón en un material foto resistente que se encuentra en una oblea de silicio.

Este proceso está totalmente desarrollado y es el que están utilizando empresas como Samsung y TSMC para alcanzar tamaños de proceso de producción cada vez más pequeños. Samsung pretende seguir bajando de los 5 nm y llegar hasta los 3 nm en el año 2021. Pero en ese caso, la tecnología de los transistores deberá cambiar y aún no está finalizada.

Continúa leyendo
  • Wolfillo

    Si la distancia entre puerta y surtidor es de 20nm como es que la litografía completa son 7nm??

    • sergio bertolotti

      por magia