Qué es la 3D NAND y por qué es tan importante

Escrito por Manuel Santos

Hace tiempo que nuestros dispositivos de almacenamiento utilizan una nueva tecnología de memorias flash para ser producidas, esta tecnología se conoce como 3D NAND y es un proceso que proviene de la evolución del anterior 2D NAND y que permite a los fabricantes hacer dispositivos con mayores capacidades.

La memoria flash desde sus inicios

Antes de la aparición de esta tecnología se utilizaban las conocidas como 2D NAND, estas memorias almacenaban la información en forma de pila y según el voltaje de la celda podías saber si estaba completa o no. Según la tecnología utilizada podías almacenar 1 bits en Single Level Cell (SCL), 2 en los Multi-Level Cell (MLC) o 3 bits en las Triple-Level Cell(TLC).

A medida que aumentaba el uso de esta tecnología, los fabricantes buscaban la forma de aumentar la capacidad de sus memorias y reducir los costes, para ello iban contrayendo cada vez más las conexiones entre las celdas. Contrajeron tanto los módulos que llegó un momento en el que las celdas no podían ser manejadas debido a la proximidad entre ellas.

El inventó de las 3D NAND salvó nuestras memorias

El coste de un semiconductor es proporcional al tamaño de su die. Por lo que los fabricantes buscaban poder contener un mayor número de celdas o transistores en ellos, ya que así conseguirían reducir gastos. La principal diferencia entre el 2D NAND y el 3D NAND es que, si antes las celdas se conectaban de forma horizontal, ahora lo hacen de forma vertical. Esto permite la conexión de un mayor número de transistores en un mismo espacio.

Si colocamos el mismo conjunto de celdas en vertical formando una U conseguiremos un formato mucho más pequeño con la misma funcionalidad y, lo que es mejor, podremos seguir añadiendo transistores en el fondo del die. La primera memorias flash 3D NAND fue de Samsung y se llamaba VNAND, esta contaba con 24 capas que poco a poco la tecnología ha dejado aumentar hasta las 96 que ya se han alcanzado.

Con esta tecnología se ha conseguido prescindir de tener que aumentar en gran medida el tamaño del die para conseguir mejores capacidades. En estas memorias se ha expandido el uso de celdas TLC que permiten un mayor número de bits. Samsung también ha promovido el uso de las celdas llamadas Charge Trap Flash (CTF), la diferencia de estas celdas está en el cambio de material en el que los transistores almacenan la información.

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    HOla estos articulos son muy buenos, sería bueno que ampliasen un poco mas este tema de las memorias 3D, quizás añadiendo como lograron hacer evolucionar esa tecnología y los responsables de ello.