Intel-Micron 3D Xpoint, memorias de próxima generación

Escrito por Miguel Ángel Rodríguez
Memorias RAM
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Uno de los componentes que ha ido evolucionando más a menudo a lo largo de todos estos años ha sido, sin duda, la memoria. Pero la tecnología con la que se fabrica ha sido siempre la misma. Hablamos de la tecnología DRAM para las memorias de acceso de nuestro procesador y hablamos de la tecnología NAND para tecnologías de almacenamiento en estado sólido. A pesar de sus ventajas es cierto que con el paso de los años ambas tecnologías van acentuando cada vez más sus limitaciones.

La memoría DRAM ofrece latencia a nivel de nanosegundos y una resistencia ilimitada pero, en contra, las células no conservan los datos en un estado de apagado, lo que nos obliga a utilizar la DRAM para operaciones no aptas para el almacenamiento permanente. La NAND, en cambio, tiene la latencia mucho más alta y tiene un número limitado de ciclos de escritura, pero las células no son volátiles y la estructura es mucho más eficiente, permitiendo justo lo que no nos permite la DRAM, la posibilidad del almacenamiento.

¿Qué ocurriría si combináramos DRAM con NAND? El reto tecnológico para la memoria de próxima generación pasa por el desarrollo de un nuevo tipo de memoria que ofrezca una baja latencia y una alta durabilidad consiguiendo un tamaño de células que sean pequeñas y escalables.

3D Xpoint ¿La alternativa?

Intel y Micron parecen haberse puesto manos a la obra y nos ofrecen su nueva iniciativa que, lo que aún no sabemos, es cuando se pondrá en marcha.

micron

No pretenden sustituir o reemplazar definitivamente a la DRAM y la NAND, si no rellenar los huecos que cada una deja entre ambas tecnologías aportando una solución intermedia con las ventajas de cada una.

Hablamos de una memoria no volátil, es decir, que no pierde los datos al dejar de recibir suministro eléctrico pero asegura ser 1.000 veces más rápida que las memorias flash actuales, lo que le acerca a la velocidad de las memorias RAM. Además, soluciona otro problema de la memoria flash, como es la durabilidad, ya que las flash aguantan un número relativamente reducido de ciclos de escritura: 3D XPoint soportaría 1.000 veces más ciclos de escritura.

En cuanto al tamaño, Intel y Micron aseguran que pueden meter hasta diez veces más capacidad que las memorias RAM en el mismo espacio.

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Intel y Micron aún no han anunciado precios específicos, aunque afirman que estas nuevas memorias estarán al alcance de todos y se situarán en un coste por gigabyte entre medias del precio de las memorias RAM y las flash. Inicialmente serán fabricadas en una instalación conjunta en Utah, pero posteriormente cada compañía tendrá sus propias factorías para producir memorias 3D XPoint, y no tienen previsto licenciar la tecnología a terceros.

Fuente Anandtech

 

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