Samsung ha anunciado que ha comenzado la producción en masa de los nuevos chips LPDDR3 de 6 Gb a 20 nanómetros, los primeros de la industria. Estos chips de 6 Gb (gigabits) LPDDR3 (Low power double data rate 3) están basados en la última tecnología de producción a 20 nanómetros de la marca, y aseguran una alta eficiencia para el mercado móvil, de manera que los dispositivos que las utilicen tendrán una mayor duración de batería y una carga de aplicaciones todavía más rápida, especialmente, según dice Samsung, en dispositivos con pantallas grandes y alta resolución.
«Nuestros nuevos chips DRAM LPDDR3 de 6 Gb a 20 nanómetros proporcionan la solución de memoria para dispositivos móviles más avanzada del mundo» comienza diciendo Jeeho Baek, vide presidente de la división de memoria de Samsung, «Estamos trabajando muy de cerca con nuestros clientes para poder ofrecer la próxima generación de soluciones de memoria que sean capaces de ser aplicadas a un rango más extenso de mercados, desde el segmento premium hasta el estándar».
Los nuevos chips de Samsung tienen una tasa de transferencia por pin de 2,133 megabits por segundo (Mbps). Lo ideal es crear un conjunto de 3 GB (gigabytes) de memoria LPDDR3, consistente en cuatro chips de 6 Gb, para integrarlo de manera sencilla en dispositivos móviles. Según Samsung, estos conjuntos de 3 GB son un 20% más pequeños y consumen un 10% menos de energía que los mismos módulos disponibles actualmente y fabricados con el anterior proceso de fabricación que utilizaba Samsung hasta ahora. Utilizando este nuevo sistema de producción a 20 nanómetros, Samsung también gana en torno a un 30% de velocidad de fabricación comparado con el anterior sistema.
En el futuro, Samsung planea seguir introduciendo mejoras a este nuevo proceso de fabricación, el cual ya utilizaron para memorias DDR3 en el mes de Marzo y ahora han extrapolado a memorias para dispositivos móviles, de manera que cada vez puedan ofrecer chips con más densidad y, por tanto, mayor capacidad de memoria.