Samsung comienza la producción del primer chip NAND Flash 3D vertical

Escrito por Rodrigo Alonso

Samsung ha anunciado que acaba de comenzar con la producción en masa del primer chip tridimensional (3D) en vertical NAND (V-NAND) Flash, que rompe con la actual escala de la tecnología NAND existente. Con este tipo de fabricación se ganan enteros en cuanto a rendimiento por área, y será utilizado en un amplio espectro de soluciones para el consumidor, como por ejemplo dispositivos SSD.

Esta nueva tecnología V-NAND de Samsung es capaz de ofrecer una densidad de hasta 128 Gb por chip, utilizando una tecnología propietaria de Samsung que se llama 3D CTF (Charge Trap Flash) y que consiste en una interconexión vertical de los componentes internos de cada chip a modo de batería. Aplicando esta tecnología, Samsung es capaz de ofrecer más de dos veces la capacidad que la tecnología lineal de 20nm.

Samsung

Durante los últimos 40 años, la memoria flash convencional se ha basado en una estructura plana que utiliza puertas flotantes. Mientras que la tecnología de proceso de fabricación ha llegado hasta los 10nm en algunos casos, tiene límites de escalado por el tamaño debido a las interferencias causadas en las comunicaciones célula a célula, lo que causa fallos de fiabilidad en los productos basados en esta tecnología. Las nuevas V-NAND de Samsung resuelven este problema gracias a unos nuevos niveles de innovación en los circuitos internos, su estructura, y su proceso de fabricación.

Continúa leyendo