Que tiemblen Intel y Samsung: TSMC ya produce sus 7 nm+ EUV en masa

Intel y Samsung tienen un motivo más a partir del día de hoy para estar preocupados, y es que TSMC ha anunciado oficialmente una de las peores noticias para sus rivales: tiene listo su sistema HVM (High Volume Manufacturing) para sus nuevo proceso litográfico de 7 nm+ EUV (Extreme Ultra Violet). Este anuncio pone en claro jaque a sus dos principales rivales y en una posición inmejorable a sus socios, como son AMD y NVIDIA.

TSMC vuelve a llegar primero y mete presión a sus rivales

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La tecnología EUV es el santo grial encontrado por los fabricantes para poder reducir los patrones de las matrices para sus obleas, reducir los pitch gate y con ello lanzar chips más baratos de fabricar y en menos tiempo, siendo más precisos en su ejecución.

Con dicho proceso litográfico de TSMC, las obleas se graban con una fuente de luz ultravioleta con unas longitudes de onda muy específicas, lo cual hace que la precisión sea mucho mayor y se requiera menos energía en el proceso. La perfección de cada oblea por lo tanto va determinada por la «finura» del grabado, el cual está sujeto a dicha longitud de onda.

Normalmente y según especificó ASML (suministrador de la maquinaria EUV) la norma es que dichos procesos se graben a una longitud de onda de 13,5 nm efectiva, donde el proceso en sí mismo y ya en la oblea se realiza a la mitad de dicha longitud, en este caso a 6,75 nm.

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Este nuevo nodo de TSMC, por ser la primera generación EUV como tal, no será un proceso puramente grabado mediante esta técnica, sino que será una especie de unión entre los patrones de inmersión tradicionales y el grabado mediante dicha técnica ultravioleta.

En los sucesivos nodos sí se conseguirán patrones puramente EUV, donde el número de los mismos se verá incrementado, reduciendo la longitud de onda y dificultando su grabado, lo que debería repercutir en un mayor precio por oblea, justo lo que está ocurriendo ahora mismo con los 7 nm de la compañía y los 10 nm de Intel.

TSMC confirma su avance a los 7 nm+ EUV mediante un comunicado

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Tan seguros están los taiwaneses de su proceso litográfico y de su volumen, que han lanzado un comunicado oficial al respecto. En él se dice que la producción en volumen de su nodo N7+ (7 nm+ EUV)es una de las más rápidas de la historia, donde su producción en volumen se realizó en el segundo trimestre de 2019 e iguala el rendimiento (en cuanto a producción se refiere) del proceso original de 7 nm de la compañía.

Proporcionará un rendimiento general bastante mejorado (15-20% más de densidad y menor consumo) donde la compañía afirma que varios de sus clientes están impulsando la capacidad de producción (entendemos que a base de pedidos). Por ello, su HVM está actualmente en 250 vatios en cuanto a operaciones por día.

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Esto por norma, aparte de especificar la potencia usada, se refiere a que son capaces de suministrar 250 obleas grabadas por cada 24 horas, lo cual es un número más que aceptable, sino bueno de por sí.

Este anuncio oficial por parte de TSMC puede tener mucho que ver con la «vuelta» de NVIDIA a sus brazos, donde los últimos rumores sobre los 7 nm+ EUV de Samsung afirmaban que tenían ciertos retrasos. Además, la compañía (TSMC) afirmó que tendrán listo para finales de año que viene sus 6 nm, un paso intermedio que lograría un 18% más de densidad.

Sin duda, Intel y Samsung deberían estar preocupados, porque TSMC no quita el pie del acelerador y ya tiene encaminado el verdadero nodo revolucionario: los 5 nm, sucesor directo de los actuales 7 nm.