Samsung ya tiene disponible la memoria RAM con chips A-Die: mejor overclock que con los B-Die

Los módulos de RAM de alta velocidad son un bien preciado por los usuarios, sobre todo por los que quieren exprimir sus equipos hasta el límite. Hasta ahora, Samsung ha diseñado los mejores chips, los cuales han incluido todas las marcas de prestigio, los llamados B-Die, sin embargo, la marca ha dejado de fabricarlos en favor de los nuevos A-Die, los cuales ya están a la venta.

Los overclockers están de enhorabuena, los A-Die están listos

samsung-10nm-1y-nm

Los Samsung B-Die son ampliamente conocidos y vendidos, todas las marcas tienen varios modelos con dichos chips, a varias velocidades y latencias. Con ellos se baten los récords del mundo, por lo que su calidad está fuera de toda duda, pero esto puede pasar a mejor historia gracias a la propia Samsung.

La empresa Coreana decidió hace unos meses dejar de producir estos chips, lo que en un principio armó tal revuelo que tuvo que salir a calmar los ánimos afirmando que estaba en proceso de producir unos nuevos chips de alto rendimiento.

El motivo que esgrimió Samsung fue que quería dejar de fabricar chips de memoria a 20 nm para pasar a la nueva clase y proceso llamado «1y-nm«.

Dicho proceso, evidentemente, no es a 1 nm como podría parecer, sino de 10 nm, el cual realmente obtiene el nombre de oficial como «10 nm 1Y«, donde Samsung asegura que puede consumir hasta un 10%-15% menos logrando velocidades de 4.266 Mb/s, por lo que el rendimiento aumentaría en torno al 10%.

Para lograr esto, Samsung aplicó algunas nuevas tecnologías, incluido el uso de un sistema de detección de datos de células de alta sensibilidad para permitir una determinación de datos más precisa y así poder leer los datos almacenados en cada célula.

También se ha incluido lo que la marca ha denominado como «air spacer«, el cual va colocado alrededor de las líneas de bits, lo cual afirman reduce la capacitancia parásita.

Esto permite reducir la perturbación de diferentes voltajes en los conductores que están juntos.

Los módulos M378A4G43AB2-CVF son los primeros en llegar al mercado

Samsung-M378A4G43AB2-CVF

La reducción del proceso litográfico implica que los módulos serán más pequeños a igual capacidad, lo que repercute en otra ventaja muy clara: dispondremos de mayor capacidad por módulo, tanto en Single-Rank como en Dual-Rank.

Esto significa que veremos módulos de 16 GB en una cara y 32 GB en doble cara. Los primeros módulos en incorporar estos chips A-Die son los M378A4G43AB2-CVF, los cuales tienen una capacidad de 32 GB por módulo y funcionan a una velocidad de DDR4-2933 MHz con latencias 21-21-21.

Samsung-M378A4G43AB2-CVF-2

Esto puede parecer desalentador, pero es que hablamos de módulos para equipos OEM donde el JEDEC está por encima de lo estipulado para los antiguos B-Die (2666 MHz).

Estos módulos consiguen dicha velocidad con 1.2 voltios y vienen firmados tanto por el propio JEDEC como por Samsung, sin disipador.

Por lo tanto, el margen de mejora es muy alto, donde es más que posible que las grandes marcas de memoria estén actualmente trabajando en los nuevos módulos que reemplazarán a los B-Die en unos meses, permitiendo un mayor rendimiento y capacidad a mismo voltaje y consumo.