SK Hynix comienza la producción en masa de su memoria NAND Flash 4D de 128 capas

SK Hynix acaba de confirmar que ha comenzado la producción en masa de su nueva memoria NAND Flash 4D de 128 capas de 1 Tb de tipo TLC. De esta manera, el fabricante se convierte en el primero del mercado que lanza al mercado memoria NAND Flash con tal número de capas. La cantidad de datos que puede almacenar uno de estos nuevos chips es superior en un 40% a lo que se puede esperar de los actuales y más extendidos chips de 64 capas. Este tipo de memoria acabará encontrando su lugar en los nuevos SSD que lleguen al mercado el año que viene.

Desde que se comenzó a usar la tecnología de apilado de capas en los chips de memoria NAND Flash como método eficiente para incrementar la capacidad de almacenamiento en los SSD, este método se ha convertido en el estándar de la industria, frente a la tradicional tecnología planar. La diferencia es que la tecnología 4D que ha desarrollado SK Hynix (que fue presentada el año pasado por la marca) consigue abaratar todavía más los costes de producción de los chips de NAND Flash.

Los nuevos chips de memoria NAND Flash de 1 Tb de 128 capas ofrecen la mayor capacidad de almacenamiento en uno de estos chips verticales, con más de 360.000 millones de células en cada uno de ellos. Y cada célula es capaz de almacenar hasta 3 bits de datos, al tratarse de memoria NAND de tipo TLC. Y para conseguirlo, SK Hynix ha tenido que desarrollar nuevas tecnologías , así como un circuito muy rápido de muy bajo consumo, que añadir a su memoria 4D original.

Los chips de memoria NAND Flash 4D de 128 capas llegarán primero a los SSD empresariales

SK Hynix ya había desarrollado previamente sus chips NAND Flash de 1 Tb con 96 capas, pero estos eran con memoria QLC. Sin embargo, los nuevos chips de SK Hynix son los primeros que van a llegar al mercado que emplean chips de 1 Tb de memoria de tipo TLC. Recordemos que las características de la memoria TLC en cuanto a velocidad, rendimiento y durabilidad son bastante superiores a las de la memoria NAND Flash de tipo QLC.

La reducción en el tamaño de los chips ha permitido incrementar el rendimiento por oblea del nuevo tipo de NAND Flash hasta un 40%, si se compara con los actuales chips de memoria NAND Flash de 96 capas que está produciendo esta compañía. De hecho, dado que el proceso es muy similar al que se emplea para fabricar ese tipo de NAND Flash, el fabricante ha sido capaz de reducir en un 5% el número de pasos en la producción de la memoria.

Los nuevos chips de memoria han conseguido unas tasas de transferencia de 1.400 Mbps usando un voltaje de 1.2 V.

Por el momento, la producción inicial de esta nueva NAND va a ir dirigida al mercado de móviles de altas prestaciones, que buscan tener en su interior capacidades de 1 TB de almacenamiento, pero con una memoria que consumirá un 20% menos para un empaquetado de 1 mm de altura.

La producción de SSD comenzará el próximo año 2020 con un modelo de 2 TB que usará un controlador desarrollado por este mismo fabricante. Sin embargo, en SK Hynix ya tiene entre sus planes desarrollar SSD de hasta 32 TB para el mercado empresarial.