Samsung ya tiene listos los 5 nm EUV: 25% más de eficiencia y 10% más de rendimiento

Escrito por Javier (Javisoft) López

La guerra de los nanómetros acaba de subir de intensidad, ya que Samsung acaba de anunciar que tiene lista su tecnología de 5 nm EUV, hasta el punto de que está lista para que los clientes que lo soliciten, obtengan muestras. Además, Samsung ha hecho públicas algunas de las mejoras que traerá dicho proceso litográfico, el cual promete bastante. ¿Lanzará NVIDIA su serie RTX 3000 en 7 nm EUV o en 5 nm EUV?

Samsung 5 nm EUV: producción en 2020, TSMC ya tiene su primer rival

TSMC ya anunció que este verano estaría lista con su nuevo proceso litográfico de 5 nm con EUV, por lo que el anuncio de Samsung es sin duda un golpe en el centro del orgullo de los Taiwaneses, ya que pensaron que serían los primeros en llegar a dicho nodo de forma estable. Por otro lado, TSMC ya está fabricando en el nodo de 5 nm, aunque la producción actual está todavía en la fase de pruebas, previa al comienzo de la producción de chips en masa con este nodo.  Y también es verdad que el nodo de 5 nm de TSMC está desarrollado a partir de su actual nodo de 7 nm, no del 7 nm+, lo que significa que sigue empleando la fabricación por inmersión, que es bastante menos precisa que la fabricación empleando máquinas EUV.

Samsung ha afirmado que su nuevo nodo 5 nm EUV es capaz de proporcionar hasta un 25% más de densidad de transistores y un 10% de rendimiento extra o un 20% de menor consumo, frente a su anterior nodo de 7 nm. Lo interesante de esta aseveración es que Samsung no ha precisado si estas ganancias de rendimiento serían relativas a su nodo de 7 nm FinFet, que no emplea las máquinas EUV, o con respecto al más moderno nodo de 7 nm FinFet EUV.

Samsung también está desarrollando otro nodo de 6 nm

A la vez que Samsung ha desarrollado el nodo de 5 nm EUV, también está dando los últimos retoques a su nuevo nodo de 6 nm. Un nodo muy similar al que TSMC ha anunciado hoy mismo, pero con la diferencia que el nodo de TSMC sigue empelando la fabricación por inmersión, mientras que el de Samsung emplea las máquinas EUV, lo que seguramente le dé una mejor densidad de transistores por cada die fabricada.

Una de las ventajas del nuevo nodo de 5 nm EUV estriba en que es un descendiente directo de su actual nodo de 7 nm EUV. Esto significa que todas las herramientas del nodo se heredan del actual nodo de 7 nm, así como toda la propiedad intelectual que Samsung había desarrollado. Esto va a repercutir en los clientes que empleen el nuevo nodo, en forma de menores costes de fabricación para sus componentes.

Por el momento, toda la producción EUV de Samsung se está desarrollando en la fábrica de Hwaesong que la marca posee en Corea de Sur. Para la producción del nuevo nodo de 5 nm EUV, la marca tiene previsto abrir una nueva línea en esa fábrica, que se encargaría de la producción exclusiva de componentes electrónicos diseñados para ser fabricados en el nuevo nodo. Esta nueva línea debería de estas completada a partir de la mitad de este año 2019, para comenzar la producción en masa a partir de comienzos del año que viene 2020.

Fuente > Samsung

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  • javi

    lees estas cosas y luego intel que se ha dormido en los laureles con los 10nm…. y da que pensar. Es como el cuento de la libre y la tortuga, tal cual