Samsung crea los chips de RAM de 10 nm con la arquitectura que usarán en DDR5

Escrito por Juan Diego de Usera

El fabricante de memoria RAM, Samsung, ha anunciado que ya ha terminado el desarrollo de su nueva memoria RAM DDR4 fabricada en su nodo 1z. Esta nueva memoria DDR4 se convertirá en la que produzca los chips más pequeños actualmente, lo que favorecerá que se incremente la cantidad de chips de memoria por cada oblea de esta que se produzca. Esto podría acabar significando que el precio de la memoria RAM seguiría descendiendo, una vez este nuevo nodo esté funcionando al 100%.

La nueva memoria RAM DDR4 de Samsung, fabricada con el nuevo nodo de producción de 1z nanómetros, es la tercera generación que ha desarrollado este fabricante, a partir de su nodo inicial de 10 nm. La iteración anterior de este proceso de fabricación se conocía como el “nodo 1y“, y es con el que se han estado fabricando toda la RAM DDR4 de este fabricante desde hace ya algún tiempo (concretamente, el nodo 1y data de julio del pasado año 2018).

A pesar de las dificultades técnicas del proceso de fabricación 1z, Samsung ha conseguido evitar la necesidad de tener que emplear el proceso de fabricación basado en las máquinas EUVL (Extreme Ultra Violet Litography), que podrían haber encarecido el precio del producto final. Sin embargo, las dies de esta nueva RAM DDR4 siguen fabricándose empleando el antiguo proceso litográfico basado en la inmersión de las obleas en una solución de fluoruro de argón. Teniendo en cuenta que este proceso de inmersión necesita de varias máscaras para realizar una buena impresión en las obleas de silicio que se han de grabar, es de asumir que el fabricante emplea también otros trucos suyos propios, para lograr que el rendimiento de chips válidos por cada oblea, sea elevado.

Samsung comenzará la producción en masa de la RAM DDR4 fabricada con el nuevo proceso en la segunda mitad de este año

Que Samsung haya terminado el desarrollo de su nuevo nodo de fabricación para RAM DDR4 no significa que pueda ponerse a fabricar este tipo de RAM de manera inmediata. Previamente debe de pasar un proceso de validación de sus nuevas memorias, para lo cual ha escogido a un fabricante de procesadores, que será quien se encargará de llevar a cabo estas pruebas de validación. En el caso de superarlas, como sería lógico pensar tras el anuncio que ha hecho Samsung hoy, la producción en masa de los primeros chips de 8 Gb (equivalente a 1 GB), no comenzaría hasta la segunda mitad de este año 2019.

El nuevo nodo 1z de Samsung se supone que va a incrementar el número de chips de memoria que se van a poder fabricar por cada oblea de silicio. El fabricante afirma que este nuevo nodo permite un 20% más de chips de 8 Gb fabricados en cada oblea, frente al rendimiento que está dando el actual proceso 1y que emplea el fabricante de memoria RAM. Que Samsung sea capaz de producir un 20% más de chips de memoria por oblea, implica que los nuevos chips de RAM tienen un tamaño que es aproximadamente un 20% más pequeños que los que está fabricando actualmente.

Fuente > Samsung

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  • miguel pozos

    Samsung S11 ya te vi más caro, por usar las nuevas RAM 😁

  • alxSoft

    “trucos suyos propios” de su propia propiedad?…. jajaj… también deben tener trucos para anunciar un incremento de 20% más chips viables, siendo aun mayor el rendimiento y más baratos para no perder margenes de utilidad! (suposición solamente.)

    • harkonen

      Hombre lo tipico nueva arquitectura de fabricacion = a mas $ de incremento luego se le añade la gripe de los trabajadores, inundaciones y un virus informatico etc….. y mas $ de incremento….. lo de siempre menos bajar de precio…..