Samsung presenta Flashbolt: nueva memoria HBM2E que es un 33% más rápida

Escrito por Javier Lopez

La innovación no hace rehenes, fuerza a la competencia a renovarse o morir, donde los más débiles y lentos terminan dejando sitio a los más veloces e inteligentes. La salida de la memoria GDDR6 supuso un serio aviso para todos los fabricantes, excepto para Samsung, ya que esta juega a dos bandas gracias a su nueva HBM2E, una revisión de su memoria a la que ha llamado Flashbolt.

Flashbolt aumenta el rendimiento hasta un 33% frente a HBM2

Samsung-HBM2

El GTC está dando mucho de lo que hablar y sobre todo en muchos sentidos. Hoy le ha tocado a Samsung, la cual ha presentado su nueva memoria de alto rendimiento basada en la ya conocida HBM2 y de la cual parte para la creación de esta HBM2E.

La denominación de este nuevo tipo de memoria es Flashbolt, siendo la primera de la industria que consigue una velocidad de transferencia de datos por pin de 3.2 gigabits por segundo (Gbps).

Esta nueva Flashbolt con dicha velocidad logra superar a la HBM2 tradicional, competidora hasta el momento, en aproximadamente un 33%, lo cual es un salto espectacular de rendimiento entre generaciones.

No sabemos cuál es el potencial de crecimiento de esta nueva HBM2E, lo que sí sabemos es que su competidora directa, la GDDR6, en su máxima velocidad, es capaz de lograr hasta 16 gigabits por segundo (Gbps) por pin, aunque de momento no hay chips que desarrollen todo su potencial.

Por lo que parece, esta nueva HBM2E es un salto intermedio que Samsung traerá al mercado de supercomputadoras, GPUs e Inteligencia Artificial, a la espera de tener disponible HBM3, que en teoría recordemos que debería de ver la luz el año que viene.

Mayor capacidad por matriz frente a HBM2

memorioa HBM2 y HBM3

Otro de los aspectos que ha mejorado Samsung es el de la capacidad, ya que hasta ahora las pilas de HBM2 eran de solo 8 GB como máximo, con unos costes muy altos.

HBM2E terminará con dicho problema, ya que podrán fabricarse matrices con hasta 16 GB por pila, el doble de la capacidad que la anterior generación y siendo más rápida.

Con todas estas mejoras, las nuevas HBM2E podrán ofrecer por pila un rendimiento de 410 gigabytes por segundo (GBps) con esos 16 GB de memoria comentados.

Jinman Han, Vicepresidente Senior del Equipo de Ingeniería de Aplicaciones y Planificación de Productos de memoria de Samsung Electronics, dijo que el rendimiento líder en la industria que permitirá Flashbolt permitirá soluciones mejoradas para los centros de datos de la próxima generación, entre los que se encuentran la inteligencia artificial, el aprendizaje automático y las aplicaciones de gráficos.

Prosigue afirmando que continuarán expandiendo su oferta de DRAM Premium y mejorando su segmento de memoria de alto rendimiento, alta capacidad y bajo consumo de energía para satisfacer la demanda del mercado actual y futuro.

Sin duda Samsung sigue a la vanguardia de las memorias, donde sus chips se implementan en todo tipo de dispositivos, liderando el mercado con mano de hierro frente a sus rivales Hynix y Micron.

Solo hay que mirar el uso de GDDR6 por parte de NVIDIA, ya que opta por Micron y Samsung al mismo tiempo, donde parece que este último se está llevando el gato al agua a pesar de llegar un poco tarde.

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