Intel tiene lista su MRAM ¿conseguirá sustituir a la DRAM actual?

Intel tiene lista su MRAM ¿conseguirá sustituir a la DRAM actual?

Javier López

Nuevos informes revelados en la noche de ayer afirman que la memoria de alto rendimiento de Intel estaría en la rampa de producción para salir al mercado. Hablamos de la nueva MRAM que el gigante azul lleva desarrollando bastante tiempo y que pretende sustituir, a largo plazo eso sí, tanto a la RAM tradicional como a las unidades NAND Flash.

MRAM ¿qué es este tipo de nueva memoria?

mram

MRAM son las siglas de Magnetoresistive Random-Access Memory o memoria de acceso aleatorio magnetoresistiva, un nuevo tipo de memoria que engloba las dos bondades de dos tecnologías: no es una memoria volátil y tiene mejor tasa de rendimiento por oblea.

Esta MRAM entraría como un tercer candidato que desbancaría a la RAM tradicional y a las NAND Flash actuales de un solo plumazo, según lo que Intel teoriza al menos.

Las ventajas son claras, si no es volátil puede mantener la información incluso si no hay energía de por medio, tal y como hacen los SSD, pero a diferencia de estos y las RAM, su tasa de rendimiento es más alta (por mucho), por lo que su precio debería ser menor, donde además y según Intel, los tiempos de ajuste y acceso son mucho más rápidos (en torno a 1 ns).

Más durabilidad y mayor velocidad

MRAM

Tal y como Intel mostró con Optane (aunque no va por buen camino de momento) MRAM hará lo propio con sus características, ya que según los de Santa Clara esta nueva tecnología es capaz de retener los datos 10 años a una temperatura de 200 grados centígrados.

Por si fuera poco, su resistencia está cifrada en 10 elevado a 6 ciclos de conmutación, según desveló Ligiong Wei, ingeniero de Intel.

Wei también reveló que el proceso de fabricación para MRAM se sitúa en los 22 nm FFL de su empresa, ya que tiene una tasa de rendimiento de bits superior al 99,9%, por lo que con dicho porcentaje se aprovecharían todas las obleas en su plenitud en el momento de la producción en masa.

El proceso de 22 nm FFL de Intel es extremadamente parecido a sus 14 nm

MRAM diagrama

Según lo que Intel desveló en el IEDM de 2017, su proceso de 22 nm FFL o también llamado FinFET Low Power, dicho proceso tiene más que ver con los 14 nm que con los 22 tradicionales.

Hasta el punto de que estos 22 nm FFL pueden considerarse 14 nm optimizados para aplicaciones móviles y de RF.

Las características de este proceso de 22 nm FFL de Intel son, principalmente, un bajo costo, un alto rendimiento, fugas de energía ultra bajas y además el llamado Low Vmin, el cual reduce la potencia activa del proceso.

Intel asegura que MRAM tolera grandes variaciones de voltaje

MRAM características

De acuerdo con el documento ISSCC de Intel, cada celda de bits de MRAM por cada transistor de 0.0486-um2 junto con una unión de túnel magnética (1T1MTJ) ocupa una superficie de 216 x 225 nm2, siendo la relación entre ambas del 180% a 25 grados centígrados.

Esto daría unas dimensiones de los «dispositivos objetivo» de entre 60 nm y 80 nm, tolerando grandes variaciones de voltaje.

Esto es importante, ya que a mayor voltaje la MRAM consigue menor tiempo de acceso, tal y como indica Wei. Y es que a 0.9 voltios la detección de lectura se cifra en solo 4 ns, mientras que a 0.8v el tiempo sube hasta los 8 ns.

iedm-2017-intel-22ffl-metal-stack-768x315

Ahora que MRAM está lista para su producción, solo queda por ver cómo va a reaccionar el mercado ante su salida y sobre todo, si finalmente terminaremos por adoptar este nuevo tipo de memoria, ya que con Optane, a pesar de ser superior a los SSD actuales, Intel parece no despegar con esta tecnología entre los usuarios.

¿Terminará sustituyendo MRAM a la DRAM actual a medio y largo plazo?