Samsung comenzará la producción de memorias de cambio de fase (PRAM) en Junio

Samsung Electronics afirma que está casi preparada para empezar a producir sus primeros chips de memoria PRAM (Phase chage RAM o memoria de cambio de fase). La memoria PRAM puede ser utilizada para almacenar datos del mismo modo que la Flash, se trata de un tipo de memoria no volátil.

Para almacenar la información, se realiza un cambio de fase en el estado de los cristales anfígenos (elementos del grupo 16 en la tabla periódica) que lo forman (seguramente Telurio o Selenio): cristalino o amorfo.

Esta nueva tecnología de memorias ofrece una velocidad hasta 30 veces superior que las basadas en memorias Flash (NAND y NOR), así como 10 veces más ciclos de escritura, lo que alargaría considerablemente su vida útil.

Samsung empezará la producción de memorias PRAM en Junio, con una capacidad inicial de 512Mb (64MB), siendo su primer objetivo los terminales móviles.

 

Fuente: TechConnect Magazine